伴隨5g時代的半導(dǎo)體材料和電漿清洗機工藝發(fā)展，對制造工藝提出更高標準：
       伴隨著5g時代半導(dǎo)體材料和電漿清洗機工藝的不斷發(fā)展，對制造工藝提出了更高的標準，尤其是對半導(dǎo)體材料小圓環(huán)表層質(zhì)量標準越來越高。造成這種現(xiàn)象的具體原因是，在當(dāng)前集成電路生產(chǎn)中，晶圓芯片面表面的微粒和金屬材料其它雜物沾污會嚴重影響元器件的品質(zhì)和產(chǎn)能。目前仍有超過50%的材料因其表面沾污而丟失。

       半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)過程中，幾乎每一道工序都要進行清洗，晶圓芯片清洗品質(zhì)的優(yōu)劣嚴重影響著元器件的性能。正因為芯片清洗是半導(dǎo)體制造過程中最重要、最頻繁的工序，而其工藝品質(zhì)直接影響著設(shè)備的成品率、性能和可靠性，因此國內(nèi)外各大公司、研究所都對清洗工藝進行了大量的研究。等離子清洗是1種先進的干式清洗工藝，有著環(huán)保節(jié)能等特性，隨之微電子技術(shù)行業(yè)的迅速發(fā)展，等離子清洗機在半導(dǎo)體材料工業(yè)中的用途日漸增加。
       例如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等都是半導(dǎo)體材料工藝中常見的金屬材料其它雜物，其源頭具體有：各種器皿、管道、實驗試劑，及其半導(dǎo)體材料小圓環(huán)加工過程中，在形成金屬材料互連的同時，還產(chǎn)生各種金屬材料環(huán)境污染。這種其它雜物的脫除通常采用電漿清洗機，由各種試劑和化學(xué)品配制的清洗液與金屬材料離子反應(yīng)生成金屬離子的絡(luò)合物，從片面分離開來。
氧化物，與氧和水接觸的環(huán)境中，半導(dǎo)體材料小圓環(huán)表面會形成一層天然氧化物。這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體材料電漿清洗機制造過程的多個步驟，而且還含有某些金屬材料其它雜物，在特定條件下，這些其它雜物會轉(zhuǎn)移到小圓環(huán)上形成電缺陷。這種氧化膜的脫除通常是用稀氫氟酸浸液來完成的。