使用CRF_品牌等離子設(shè)備氟化可以提高環(huán)氧樹脂的電荷消散能力:
       對改性環(huán)氧樹脂而言，由于填料的引入以及環(huán)氧自身的非飽和鍵和支鏈結(jié)構(gòu)較多，環(huán)氧樹脂中不可避免地會出現(xiàn)陷阱。大粒徑聚合物中的陷阱密度也很大，等離子體設(shè)備氟化會使填料的粒徑變小，所以未氟化填料樣品中的陷阱密度很大。當電子被能級較淺的陷阱捕獲時，隨著外部激勵的作用，電子會脫落，參與沿閃絡(luò)的發(fā)展。被能級深的捕集器捕獲后，電子不易脫落，不能參與閃絡(luò)的發(fā)展，因此抑制了沿閃絡(luò)進一步發(fā)展，提高樣品的閃絡(luò)電壓。

       根據(jù)捕集層的大小，氟化時間由10分鐘增加到45分鐘，可以顯著地降低(低)，而深度陷陷井隨氟化時間的延長，沿表面閃絡(luò)電壓逐漸升高(升高)。當填料氟化時間增加到60分鐘時，樣品中重新出現(xiàn)大量淺陷阱，電子容易脫落，因此閃絡(luò)電壓有降低(低)的趨勢。
        另外，由于氟的化學(xué)性質(zhì)比較活躍，XPS和FTIR測試表明填料和環(huán)氧樹脂中均含有氟。隨著等離子體對填料的氟化，氟容易與環(huán)氧樹脂中的基團發(fā)生反應(yīng)，填料與聚合物基體緊密結(jié)合。粒徑較小的填料在基體中分散性較好，填料之間的交互區(qū)域容易重疊，從而降低(降低)了填料的禁帶寬度，增加了材料中電荷的消散途徑，抑制了表面電荷的積累。CRF_品牌等離子設(shè)備較低的初始表面電荷也降低了樣品表面電場的畸變(減少)，抑制了表面的微小放電，提高了樣品的閃絡(luò)電壓。