決定鉆石形核的要素包括等離子體的影響：
一、基體數(shù)據(jù)
       由于形核取決于基體表面碳的飽和度和到達核心的臨界濃度，因此，基體數(shù)據(jù)的碳分散指數(shù)對形核具有重要影響。分散性指數(shù)越大，就會越不容易達到成核需要的臨界濃度，鐵、鎳、鈦等金屬基體直接在這類數(shù)據(jù)上進行成核是非常困難的；而對于較低碳分散性系數(shù)的數(shù)據(jù)，如鎢、硅等，鉆石可以快速成核。
二、表面磨削
       一般金剛石的形核都能通過金剛石粉末對表面磨削而推進。利用SiC,c-BN,Al2O3等數(shù)據(jù)進行的研磨也能促進形核的形成。磨削能促進形核形成的機理主要有兩點：一是經(jīng)過磨削，金剛石微粉的碎屑留在基體表面，起到晶種作用；二是磨削能在基體表面產生許多微小的缺陷，這些缺陷是自發(fā)形核的有利方向。研磨數(shù)據(jù)的格點常數(shù)越接近金剛石，增強形核的效果就越好，因此，一般的研磨數(shù)據(jù)都是用高溫高壓法制備的金剛石微粉。

三、等離子體參數(shù)
        在金剛石形核早期，由于碳向基體的分散，在基體表面形成了界面層，因此研討指出了等離子體參數(shù)對界面層也有重要影響，例如，當硅基體表面堆積金剛石膜時，甲烷濃度對SiC界面層的形成有直接影響。
四、偏壓增強形核
       在微波等離子體化學氣相堆積中，基體一般都是加負偏壓，也就是說，基體的電位與等離子體的低電位有關。負偏壓的作用是使基底表面離子濃度增加。偏壓太高時，由于過多離子對基體外層和前驅核的濺射，形成了捺形核，因此在偏壓增強形核時，偏壓的大小更合適。